Według firmy Samsung Electronics dokonano znaczącego przełomu na rynku pamięci o dużej przepustowości, dzięki pamięci HBM4 nowej generacji, która przewyższa konkurencję w testach szybkości i wydajności energetycznej dla nadchodzącego akceleratora Vera Rubin AI firmy Nvidia. Gazeta Biznesowa Maeil. Podczas wizyty w zeszłym tygodniu przedstawiciele Nvidii potwierdzili, że Samsung osiągnął „najlepsze wyniki w branży pamięci”, co spowodowało zapotrzebowanie na dostawy w ilościach znacznie przekraczających wewnętrzne prognozy Samsunga. Sukces ten oznacza radykalne odejście od generacji HBM3E, w której Samsung pozostawał w tyle za rywalami o prawie rok. Zwrot ten przypisuje się strategii technicznej wysokiego ryzyka, w ramach której Samsung całkowicie pominął proces DRAM D1b, aby bezpośrednio przejść do 10-nanometrowego procesu D1c. Łącząc nową pamięć DRAM z układami logicznymi wytwarzanymi w 4-nanometrowym procesie odlewniczym, firma Samsung stała się pierwszym producentem, który osiągnął prędkość przesyłania danych przekraczającą 11 gigabitów na sekundę. Podczas gdy SK hynix utrzymuje około trzymiesięczną przewagę – już zaczął dostarczać płatne próbki – Samsungowi udało się zmniejszyć różnicę w stosunku do poprzedniej generacji. Dane rynkowe odzwierciedlają to ożywienie – Samsung odzyskał drugie miejsce na rynku HBM w trzecim kwartale 2025 r. z 22% udziałem, wyprzedzając Micron. Oczekuje się, że umowy zostaną sformalizowane w pierwszym kwartale 2026 r., a dostawy na pełną skalę zaplanowano na drugi kwartał, aby dotrzymać harmonogramu Nvidii dotyczącego Wiera Rubin uruchomienie platformy w III kwartale 2026 r.
